Tecnología Intel® de 22 nm

Los primeros transistores en 3D del mundo listos para la fabricación en masa.

3D y 22 nm: combinación de rendimiento y eficiencia energética

En 2011, Intel lideró el sector con la introducción de una innovadora tecnología para familias de procesadores: unos transistores en 3D de una longitud de 22 nm.

Anteriormente, los transistores, el núcleo de los microprocesadores, eran en 2D (planos). El transistor tri-gate 3D Intel®, y la capacidad para fabricarlo en masa, marcan un cambio drástico en la estructura fundamental del chip informático. La elevación del canal de transistor a la tercera dimensión mejoró el control del transistor: maximizaba el flujo actual (para un mayor rendimiento) cuando estaba encendido y lo minimizaba (para reducir las fugas) cuando estaba apagado.

Estos transistores permitieron a Intel seguir desarrollando productos de primer nivel, desde rápidos superordenadores hasta diminutos dispositivos móviles.

Los transistores son fundamentales

El tamaño y la estructura del transistor constituyen un pilar tecnológico al ofrecer las ventajas de la Ley de Moore al usuario final. Por lo general, cuanto más pequeño y más eficiente sea el transistor, mejor. Intel sigue reduciendo, como era de esperar, su tecnología de fabricación en una serie de números uno: 45 nm con high-k/puerta de metal en 2007; 32 nm en 2009; ahora, 22 nm con el primer transistor del mundo en 3D, en un proceso lógico de fabricación en masa que comenzó en 2011; y 14 nm con la 2ª generación de transistores tri-gate 3D en 2014.

Estos continuos avances en la tecnología de transistores permiten a Intel diseñar procesadores cada vez más potentes y con una eficiencia energética increíble. Los nuevos procesadores permiten contar con microarquitecturas innovadoras, diseños de sistema en chip (SoC) y nuevos productos: desde servidores y ordenadores hasta smartphones e innovadores productos para consumidores.

Eche un vistazo a cómo Intel fabrica chips de silicio de 22 nm

Transistores en la 3ª Dimensión

El transistor tri-gate 3D Intel utiliza tres puertas que cubren el canal de silicio en una estructura en 3D, lo que permite una combinación sin precedentes de rendimiento y eficiencia energética. Intel diseñó el transistor tri-gate 3D para proporcionar ventajas únicas de consumo ultrabajo para su uso en dispositivos móviles, como smartphones y tabletas, y, al mismo tiempo, ofrecer un rendimiento mejorado que normalmente se relaciona con procesadores de gama alta.

Más información sobre la tecnología de transistor de 22 nm de Intel ›

3ª generación de procesadores Intel® Core™

Presentada a finales de 2011, la 3ª generación de procesadores Intel® Core™ fue el primer chip fabricado en masa en utilizar transistores en 3D.