Elementos fundamentales

Capacidad
512 GB
Estado
Discontinued
Fecha de lanzamiento
Q2'21
Condiciones de uso
PC/Client/Tablet, Workstation
Fecha de vencimiento de la disponibilidad del nuevo diseño
Wednesday, June 1, 2022

Especificaciones de desempeño

Lectura secuencial (máximo)
3400 MB/s
Escritura secuencial (máximo)
2000 MB/s
Random Read (8GB Span) (up to)
380000 IOPS (4K Blocks)
Random Write (8GB Span) (up to)
280000 IOPS (4K Blocks)
Alimentación - Activa
170mW
Alimentación - Inactiva
35mW

Confiabilidad

Vibración - En funcionamiento
2.17 GRMS (5-700Hz)
Vibración - No en funcionamiento
3.13GRMS (5-800Hz)
Choque (en funcionamiento o no en funcionamiento)
1500 G/0.5ms
Rango de temperatura de funcionamiento
0°C to 70°C
Temperatura máxima de funcionamiento
70 °C
Temperatura mínima de funcionamiento
0 °C
Clasificación de resistencia (nº de escrituras durante la vida útil)
185 TBW
Tiempo promedio entre fallos (MTBF)
= 1.6 million hours
Tasa de errores de bit incorregibles (UBER)
< 1 sector per 10^15 bits read
Periodo de garantía
5 yrs

Información complementaria

Descripción
Premium storage solution featuring Intel Optane Memory Technology and 3rd Gen Intel 3D QLC NAND technology on a single M.2 form factor Drive

Especificaciones de paquete

Peso
<10 grams
Formato
M.2 22 x 80mm
Interfaz
PCIe 3.0 x4, NVMe

Tecnologías avanzadas

Mejoras en la protección contra pérdida de datos y el consumo de energía
Encriptación por hardware
AES 256 bit
Tecnología de alta resistencia (HET)
아니요
Supervisión y registro de temperatura
Protección de datos de extremo a extremo
아니요
Tecnología Intel® de respuesta inteligente
Tecnología Intel® Rapid Start
Intel® Remote Secure Erase