Transformación de la economía del almacenamiento

La tecnología Intel® 3D NAND amplía nuestro liderazgo en memoria flash con una arquitectura diseñada para una mayor capacidad y un rendimiento óptimo, un proceso de fabricación probado que proporciona transiciones y escalación aceleradas, así como una rápida ampliación de la oferta para múltiples segmentos del mercado.

Capacidad de almacenamiento impulsada por la innovación de Intel

Intel presenta los primeros SSD PCIe* del mundo con tecnología QLC. La tecnología Intel® QLC 3D NAND proporciona una capacidad hasta un 33 % mayor1 que su predecesora 3D NAND. También incluye aceleración de PCIe* de un modo único con el fin de ofrecer una combinación fiable de rendimiento, capacidad y valor, lo que la convierte en una solución de almacenamiento inteligente tanto para el centro de datos como para los mercados de cliente.

La tecnología Intel® QLC aprovecha la 3D NAND actual, con una estructura probada de 64 capas, y añade una nueva celda que proporciona 4 bits por celda (QLC), lo que la convierte en la memoria flash de mayor densidad del mundo. Además, esta tecnología utiliza una celda de puerta flotante, ya que este es un método de almacenamiento fiable y de bajo coste. Por último, la tecnología Intel® QLC se combinó con la tecnología PCIe* (NVMe*) para proporcionar una ventaja de hasta 4 veces mayor rendimiento en comparación con las interfaces SATA2.

Prepárese para el futuro con la fiable tecnología Intel® basada en Intel QLC y respaldada por el liderazgo en fabricación de Intel.

Por fin el rendimiento de SSD se combina con un gran valor empresarial

Para los centros de datos, la tecnología Intel® QLC 3D NAND reduce enormemente las huellas del sistema HDD3. La menor cantidad de sistemas que se deben mantener produce ahorros en energía y refrigeración4, mientras que también reduce los costes operativos y de inversiones relacionados con la sustitución de unidades5. Además, aunque la huella disminuya, el rendimiento aumenta6. La aceleración de PCIe* se abre paso a través de los cuellos de botella de SATA7, lo que libera toda la capacidad de QLC. En combinación con la tecnología Intel® Optane™ opcional, los productos del centro de datos de la tecnología Intel® 3D NAND ofrecen aún más rendimiento2, lo que acelera el acceso a los datos que más se necesitan.

Haga más, almacene más y ahorre más con la tecnología Intel® QLC integrada en los Intel® SSD series D5-P4320 y D5-P4326. Actualmente se venden en cantidades limitadas y estarán disponibles ampliamente durante el invierno de 2018.

Ahora lo increíble es asequible

La tecnología Intel® QLC 3D NAND permite a los consumidores afrontar las necesidades de almacenamiento de hoy en día y preparase para las crecientes demandas del futuro. Estos SSD de cliente aceptan más datos que el almacenamiento basado en TLC, admitiendo hasta el doble de capacidad en huellas idénticas1. Solo Intel combinó esta innovadora tecnología con PCIe* para ofrecer un rendimiento de PCIe asequible.

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Diseñada para la capacidad y la fiabilidad

La tecnología Intel® 3D NAND es una innovadora respuesta a la creciente demanda de capacidad de almacenamiento de datos de la industria. Comparada con otras soluciones NAND disponibles, la tecnología Intel® 3D NAND se ha diseñado en una arquitectura de puerta flotante con una celda más pequeña y un conjunto de memoria altamente eficiente, que ofrece soluciones de mayor capacidad y alta fiabilidad con una sólida protección ante la pérdida de carga.

Descubra cómo 3D NAND avanza en el almacenamiento

La tecnología Intel® 3D NAND acelera la Ley de Moore en tres dimensiones, superando las limitaciones de capacidad de la tecnología 2D NAND tradicional. Las capas verticales de nuestra 3D NAND permiten una mayor densidad de área en la actualidad, así como escalabilidad para el futuro.

Liderazgo en innovación

Innovación de 64 capas

Intel ha aplicado sus 30 años de experiencia en celdas flash para pasar la NAND de 2D a 3D, de celda multinivel (MLC) a celda trinivel (TLC) y de tecnología de 32 capas a la innovadora tecnología de 64 capas. Todo esto se consigue para ofrecer la mayor densidad de área8 y ampliar rápidamente las capacidades de almacenamiento de las soluciones 3D NAND.

Amplia oferta

Diseñada en un proceso probado

Gracias a la tecnología 3D NAND, Intel ofrece prestaciones innovadoras y de gran valor en una amplia gama de productos. Nuestra experiencia diseñando esta arquitectura en soluciones SSD nos permite mejorar rápidamente el rendimiento, el consumo de energía, la consistencia del rendimiento y la fiabilidad de cada generación.

Escalabilidad de fabricación

Ofreciendo oportunidades transformadoras

Intel utiliza procesos de fabricación probados por décadas de resultados de gran volumen para diseñar la tecnología 3D NAND. Intel, con una sólida sinergia generacional en la red de fábricas, espera ampliar la capacidad de la 3D NAND más rápido que el mercado, lo que permite ofrecer a su base de clientes un coste total de propiedad y una aceleración de las aplicaciones transformadores.

Información sobre productos y rendimiento

1

La TLC (celda de triple nivel) contiene 3 bits por celda y la QLC (celda de cuádruple nivel) contiene 4 bits por celda. Calculado como (4-3)/3 = 33 % más de bits por celda.

 

2

Clúster vSAN de 4 nodos – Configuración de sistema de 1 nodo: Modelo de servidor: Intel Purley S2600WF (R2208WFTZS); MB: H48104-850; CPU: Procesador dual Intel® Xeon® Gold 6142 de 2,6 GB, 16N/32H, 10,4 GT/s, 22 MB de caché, Turbo, HT (150 W) DDR4-2666; Memoria: 16 GB de RDIMM, 2.666 MT/s, Rango doble x16; NIC: Intel X520-DA2 de 10 GbE SFP+ DAC e Intel X722 10 GbE LAN integrada. Toda configuración TLC: 2 Intel® SSD serie P4610 para centros de datos de 1,6 TB para caché y 4 Intel® SSD serie P4510 para centros de datos de 4 TB para almacenamiento de capacidad; memoria Intel® Optane™ + QLC Configuración: 2 SSD Intel® Optane™ DC P4800X de 375 GB para caché y 2 Intel® SSD D5-P4320 de 7,68 TB para almacenamiento de capacidad. 2 Carga de trabajo: HCIBench: https://labs.vmware.com/flings/hcibench. Número de VM: 16, Número de discos de datos: 8, Tamaño del disco de datos: 60, Número de discos a prueba: 8, Porcentaje del conjunto de trabajo: 100, Número de hilos por disco: 4, Tamaño del módulo: 4 K, Porcentaje de lectura: 70, Porcentaje aleatorio: 50, Tiempo de prueba: 3600. Resultados: configuración de P4610+P4510 = 83.451 IOPS a 6,3 ms de latencia. Configuración de P4800x+P43220 = 346.644 IOPS a 1,52 ms de latencia. 

 

3

Comparando un HDD de clase empresarial WD Gold de 4 TB y 3,5’ a 7200 RPM que habilita hasta 24 HDD por 2U y un total de 20U y 960 TB en total con un Intel® SSD D-5 P4326 de 30,72 TB E1.L (disponible próximamente) que habilita hasta 32 por 1U y un total de 1U y 983 TB en total. 20 unidades de bastidor a 1 unidad de bastidor.

 

4

Ahorro en costes de energía, refrigeración y consolidación. Basado en HDD: HDD de 4 TB a 7,2K RPM, AFR de 2 % y 7,7 W de consumo activo, 24 unidades en 2U (1971 W de consumo total) https://www.seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-7-e8-data-sheet-DS1957-1-1709US-en_US.pdf SSD: 22 W de consumo activo, 44 % de AFR, 32 unidades en 1U (704 W de consumo total); Coste de refrigeración basado en términos de implementación de 5 años con un coste de vatios por hora de 158 dólares y un número de vatios para refrigerar 1 vatio 1,20 Basado en 24 unidades de 2U HDD de 3,5” y 32 unidades de 1U larga de EDSFF 1U. Almacenamiento híbrido basado en el uso de SSD de Intel® TTL para caché.

 

5

Ahorro en costes de sustitución de unidades. Cálculo: HDD 2 % de AFR x 256 unidades x 5 años = 25,6 sustituciones en 5 años; SSD: 0,44 % de AFR x 32 unidades x 5 años = 0,7 sustituciones en 5 años.

 

6

Compara 4K IOPS de lectura aleatoria y profundidad de cola 32 entre el Intel SSD D5-P4320 y el HDD Toshiba N300. 175.000 IOPS: Datos medidos del Intel SSD D5-P4320 de 7,68 TB. 4K IOPS de lectura aleatoria; profundidad de cola 32. 532 IOPS: Basado en los análisis de rendimiento de Tom’s Hardware para el HDD Toshiba N300 de 8 TB a 7,2K RPM. 4K IOPS de lectura aleatoria; profundidad de cola 32: https://www.tomshardware.com/reviews/wd-red-10tb-8tb-nas-hdd,5277-2.html. Por lo que 4K IOPS de lectura aleatoria son 329 veces mejor.

 

7

IOPS de PCIe* basadas en lectura aleatoria de 4K simulada, profundidad de cola de 256, cálculos de rendimiento realizados por Intel para el Intel D5-P4320/D5-P4326 SSD QLC basado en PCIe* con diferentes capacidades: 3,84 TB; 7,68 TB; 15,36 TB y 30,72 TB. IOPS de SATA preparados para IOPS de 100K para todos los niveles de capacidad basados en IOPS de 100K como el máximo posible para el SSD de la competencia actual basado en SATA de Micron. La hoja de datos de los SSD Flash NAND Micron serie 5200 muestra un máximo de 4K de lectura aleatoria, profundidad de cola de 32 IOPS de 95K IOPS para SKU de 3,84 TB y 7,68 TB. La hoja de datos se encuentra aquí: https://www.micron.com/parts/solid-state-storage/ssd/mtfddak7t6tdc-1at16ab?pc={1E253C11-6399-4D14-A445-F1DE2EB7ECAC}

 

8

Comparando la densidad aérea de los datos medidos de Intel en un Intel® 3D NAND de 512 GB con la competencia representativa basada en la documentación de la IEEE International Solid-State Circuits Conference de 2017 que cita tamaños de chips de Samsung Electronics y Western Digital/Toshiba para un componente 3D NAND de 64 capas.